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碳化硅功率器件纳米银烧结工艺研究-中国新技术新产品2025年17期

碳化硅功率器件纳米银烧结工艺研究

作者:奚思 刘斌 朱兵 沈剑 李金伟 字体:      

中图分类号:TN305文献标志码:A

以第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)为基础的功率器件和功率模块是高温大功率电子系统的核心器件,其超宽禁带宽度为 3.3eV ,其最高工作温度为 500C ,热导率为490W/( m⋅K )(试读)...

中国新技术新产品

2025年第17期