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二硒化钨纳米片基阻变存储器研究-信息系统工程2025年03期

二硒化钨纳米片基阻变存储器研究

作者:周晓凡 李颖 郭家俊 字体:      

摘要:在新一代信息存储技术中,阻变存储器(Resistive Randomm Access Memory,RRAM)彰显出无可比拟的优势。二硒化钨(WSe2)作为典型的过渡金属硫属化物(Transition Metal Dichalcogenides,TMDCs),凭借其独特(试读)...

信息系统工程

2025年第03期